【產品介紹】

技術參數：

1.分辨(bian)率:

　二次電子:

　　高真空模(mo)式3.0nm @ 30kV, 8nm @ 3kV

　　高真空(kong)減速模式7nm @ 3kV (可選項)

　　低真空模式3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV

　　環境真空(kong)模式3.0nm @ 30kV

　背(bei)散射電子4.0nm @ 30kV

2.樣品室壓力zui高(gao)達2600Pa

3.加速電壓200V～30kV，連續(xu)調(diao)節(jie)

4.樣品臺移動范圍

Quanta 250: X=Y=50mm

Quanta 450: X=Y=100mm

Quanta 650: X=Y=150mm

主要(yao)特點：

1.FEI ESEM(環(huan)境掃(sao)描電鏡)技術,可在高真(zhen)空(kong)、低真(zhen)空(kong)和(he)環境真(zhen)空(kong)條件(jian)下對各種樣品進行觀察和(he)分析。

2.所有(you)真空條件下(xia)的二次電子、背(bei)散射電子觀察和(he)微(wei)觀分析。

3.先進的(de)系統(tong)結構(gou)平臺(tai)，全數字化系統(tong)。

4.可同時安裝能(neng)譜(pu)儀、波譜(pu)儀和EBSP系統。

5.可安裝低溫冷臺(tai)、加熱臺(tai)、拉伸臺(tai)等進行樣品(pin)的原位(wei)、動態觀(guan)察(cha)和分析(xi)。